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中芯国际与台积电、三星（造芯）的差距只差一台“光刻机”吗？

很显然中芯国际和台积电不仅仅是差一台光刻机！

1、先来看看中芯国际当前的制程

我们先来看看中芯当前芯片工艺制程的情况吧！

中芯国际14nm工艺2019年Q4已经量产了，前期产能每月3000片左右，2020年将开始产能爬坡，年底将会实现每月15000片。现阶段已经在为华为代工14nm制程的芯片，比如这2天传言的麒麟710A。

中芯12nm的制程在2019年已经实现的客户导入阶段，同时N+1制程也已经进入客户导入验证阶段，预计2021年将实现量产。从现有业内的预估来看，N+1制程也就是7nm工艺，但并非是高端的7nm工艺，助于低功耗版的工艺。同时中芯也已在研制N+2制程，从公布的性能参数来看就是7nm的高性能版。

用简单的话语来说，中芯国际目前量产制程为14nm，已经研发出了N+1的7nm低端工艺，同时高性能7nm工艺在研制中。

2、再来看看台积电和三星的情况

这两家的工艺制程我觉得没必要多说什么，7nm EUV早在2年前就已经量产，5nm制程台积电今年Q2也开始要量产，不过因为疫情关系或有延缓，同时在2019年已经在研发2nm制程，预计2024年能量产。

其实对于代工厂商来说，芯片制程的领先只是其次，更重要的是客户。现阶段全球手机厂商都将芯片代工交给台积电和三星，苹果、华为、高通、AMD、联发科等等，这两家在全球市场中排名第一和第二，两者加起来占了全球近6成的市场份额。

3、中芯和台积电、三星的差距甚大

从芯片制程上来说，中芯这2年的进步的确很大，短短几年时间已经达到了7nm制程，明年就能量产，和头部的台积电、三星的差距进一步缩小到3~4年。但是对中芯来说还有更现实的问题，就是如何获取客户，没有大量的订单就无法大规模量产降低成本，更无法获得更多的发展资金。

科技企业最大的特点就是大者恒大，头部企业能吃掉大部分的市场份额，只留下一点点残渣给后进的企业。未来的中芯即便能在技术层面追赶上台积电和三星，但想要抢更多的市场份额并非易事，对先进制程有需求的其实就这么几家大客户，后来者很难去撬开现有的市场，即便如三星在代工领域也干不过台积电。

Lscssh科技官观点：

综合来说，中芯现阶段对高端光刻机的需求其实并不急迫，其现在更需要解决的是现有工艺的量产以及挖掘更多的客户。至于光刻机显然也是需要的，等到N+2工艺时就必须上7nm EUV 光刻机了，否则单靠DUV光刻机的多重曝光效率非常底下，根本无法达到有效的良品率和产能需求。

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谢邀，你问出这个问题，我想你心里是有了答案的。

那我们就不从技术上去讲这件事了，我想说的是地位。

众所周知，中芯国际2011年7月出现高层大动荡。中芯国际首席执行官（CEO）王宁国递交辞呈，公司首席营销官（CMO）季克非也已请辞。中芯国际那一次的高层动荡，基本是清理了当时台湾的高管，让大陆人取而代之。所以在这之后，中芯代表的基本就是大陆了。中芯国际集成电路制造有限公司是世界领先的集成电路芯片代工企业之一，也是中国内地规模最大、技术最先进的集成电路芯片制造企业。主要业务是根据客户本身或第三者的集成电路设计为客户制造集成电路芯片。中芯国际是纯商业性集成电路代工厂，提供 0.35微米到14纳米制程工艺设计和制造服务。2019年5月，中芯国际将根据修订后的1934年《美国证券交易法》，申请将公司的美国存托股（ADS）从纽约证券交易所自愿退市。

光刻机，只要有钱就能买，中芯国际是在2018年中旬向ASML订购的这台EUV光刻机，价格为1.2亿美元，预计在2019年底交付，2020年正式安装。2019年11月份，有媒体报道，因受到了美国的压力，荷兰政府不批准ASML向中芯国际供货。

我想这就是中芯差的地方了，台积电和三星是有个好奶妈呀，更是我国还不够强大呀。

所以值此危急时刻，我们更应该奋起直追，那才是我们该做的事。

中芯国际与台积电、三星的技术实力差距，当然不是只差一台EUV（极紫外）光刻机。早在2018年，英特尔就向阿斯麦订购了3台EUV光刻机，三星订了6台，台积电则订了10台，结果台积电在制程工艺上还是领先英特尔和三星一代，这就说明EUV光刻机不是制约芯片厂制造技术进步的唯一因素。

买到先进的光刻机，只是具备了制造出先进芯片的前提，好比土豪买了法拉利，还是需要娴熟的驾驶技术的，这样才能飙过别人。

中芯国际原创始人张汝京博士是有故事的传奇人物。

光刻机有一个重要技术指标“最高分辨率”（单位nm），这是指它在硅片上能刻出的最小尺寸的特征线宽，代表着光刻机的潜能。

要发挥出光刻机的潜能，芯片制造厂还需要开发出配套的制造工艺。可以说，中芯国际和台积电的最大差距就体现在制造工艺上。

芯片的制造工艺流程主要分为前道工艺和后道工艺，光刻机的工作位于前道工艺。前道工艺里，有300到400个子工序，而光刻机占其中的60%左右，处于最复杂最尖端的领域。

当然，上图只是芯片制造的流程，具体工艺纷繁复杂，晶圆运进芯片制造厂后，从晶圆洗净开始，就正式进入制造程序，整个制造工艺包括数百道工艺，详见下图。

由于各厂家有不同的工艺，而每一道工艺的细微差别，都会拉开差距。

因此中芯国际和台积电的差距可能主要体现在掺杂物导入工艺、薄膜形成工艺和光刻胶工艺过程等工艺流程上。

原因不难理解，对芯片制造公司来说，采用何种设备，以及具体的工艺流程，可以决定芯片的良率。

比如掺杂物导入工艺中的离子注入工艺所需的离子注入装置价格很贵，设计、制造、使用都需要高深的物理学工学基础，同时离子注入装置厂商与芯片制造厂还存在知识产权共享问题，换句话说就是芯片制造厂参与了离子注入装置厂商的研发活动，双方的合作有排他性，从而构建出相对于竞争对手的优势。

16年前中芯国际和台积电爆发的诉讼纠纷，焦点即在于工艺流程。

两家公司目前工艺流程的具体差距，体现在台积电已经开始量产5nm，中芯国际已量产14nm，12nm获突破，考虑到12nm是14nm的改良，中间隔着10nm、7nm，落后两代，按时间算大概两到三年，这个差距并不算遥远。

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